Samsung MZ-V9S1T0 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC, Unidad de estado sólido (1 TB, M.2, 7150 MB/s)
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Detalles
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Descripción del producto
Detalles
| Tipo | Unidad de estado sólido | ||
| EAN | 8806095575674 | ||
| Número de fabricante | MZ-V9S1T0BW | ||
| Formato | Tarjeta de expansión | ||
| Capacidad | 1 TB | ||
| Interfaz | 1x M.2 | ||
| Interfaz interna | PCIe 5.0 | ||
| Velocidad de transferencia de datos | Lectura | 7.150 MB/s | |
| Escritura | 6.300 MB/s | ||
| Tipo de chip | TLC | ||
| Consumo de energía | Funcionamiento | 4,3 W | |
| IOPS | Lectura | 850.000 | |
| Escritura | 1.350.000 | ||
| MTBF | 1.500.000 horas | ||
| TBW | 600 TB | ||
| Trim | sí | ||
| Dimensiones (LxAxP) | Ancho: 80,15 mm x Altura: 22,15 mm x Profundidad/longitud: 2,38 mm | ||
| Peso | 9 gramos | ||
Notas importantes
Número RAEE: 54978142
Samsung Electronics GmbH
Am Kronberger Hang 6 Samsung House
65824 Schwalbach / Ts.
DE
https://www.samsung.com
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