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SAMSUNG 980 PRO M.2 1000 GB PCI Express 4.0 V-NAND MLC NVMe, Unidad de estado sólido 1000 GB, M.2, 7000 MB/s
SAMSUNG980 PRO M.2 1000 GB PCI Express 4.0 V-NAND MLC NVMe, Unidad de estado sólido
1000 GB, M.2, 7000 MB/s
  • Capacidad: 1 TB
  • Velocidad: Lectura7.000 MB/s, Escribir5.000 MB/s
  • IOPS: Lectura1.000.000, Escribir1.000.000
SAMSUNG 990 PRO 2 TB, Unidad de estado sólido
SAMSUNG990 PRO 2 TB, Unidad de estado sólido
  • Capacidad: 2 TB
  • Velocidad: Lectura: 7.450 MB/s, Escribir: 6.900 MB/s
  • IOPS: Lectura: 1.400.000, Escribir: 1.550.000
SAMSUNG 970 EVO Plus M.2 2000 GB PCI Express 3.0 V-NAND MLC NVMe, Unidad de estado sólido negro, 2000 GB, M.2, 3500 MB/s
SAMSUNG970 EVO Plus M.2 2000 GB PCI Express 3.0 V-NAND MLC NVMe, Unidad de estado sólido
negro, 2000 GB, M.2, 3500 MB/s
  • Capacidad: 2 TB
  • Velocidad: Lectura: 3.500 MB/s, Escribir: 3.300 MB/s
  • IOPS: Lectura: 620.000, Escribir: 560.000
SAMSUNG 990 PRO 4 TB, Unidad de estado sólido
SAMSUNG990 PRO 4 TB, Unidad de estado sólido
  • Capacidad: 4 TB
  • Velocidad: Lectura: 7.450 MB/s, Escribir: 6.900 MB/s
  • IOPS: Lectura: 1.400.000, Escribir: 1.550.000
SAMSUNG MZ-V8P2T0BW unidad de estado sólido M.2 2000 GB PCI Express 4.0 V-NAND MLC NVMe 2000 GB, M.2, 7000 MB/s
SAMSUNGMZ-V8P2T0BW unidad de estado sólido M.2 2000 GB PCI Express 4.0 V-NAND MLC NVMe
2000 GB, M.2, 7000 MB/s
  • Capacidad: 2 TB
  • Velocidad: Lectura: 7.000 MB/s, Escribir: 5.100 MB/s
  • IOPS: Lectura: 1.000.000, Escribir: 1.000.000
SAMSUNG 990 PRO 1 TB, Unidad de estado sólido
SAMSUNG990 PRO 1 TB, Unidad de estado sólido
  • Capacidad: 1 TB
  • Velocidad: Lectura: 7.450 MB/s, Escribir: 6.900 MB/s
  • IOPS: Lectura: 1.200.000, Escribir: 1.550.000
Lexar LNM790X004T-RNNNG, Unidad de estado sólido
LexarLNM790X004T-RNNNG, Unidad de estado sólido
  • Capacidad: 4 TB
  • Velocidad: Lectura: 7.400 MB/s, Escribir: 6.500 MB/s
  • Diseño: Tarjeta de expansión
WD Black SN850X NVMe SSD 2 TB, Unidad de estado sólido negro
WDBlack SN850X NVMe SSD 2 TB, Unidad de estado sólido
negro
  • Capacidad: 2 TB
  • Velocidad: Lectura: 7.300 MB/s, Escribir: 6.600 MB/s
  • IOPS: Lectura: 1.200.000, Escribir: 1.100.000
Corsair MP600 MINI 1TB, Unidad de estado sólido negro
CorsairMP600 MINI 1TB, Unidad de estado sólido
negro
  • Capacidad: 1 TB
  • Velocidad: Lectura: 4.800 MB/s, Escribir: 4.800 MB/s
  • IOPS: Lectura: 1.100.000, Escribir: 850.000
SAMSUNG 970 EVO Plus 1 TB, Unidad de estado sólido negro, 1000 GB, M.2, 3500 MB/s
SAMSUNG970 EVO Plus 1 TB, Unidad de estado sólido
negro, 1000 GB, M.2, 3500 MB/s
  • Capacidad: 1 TB
  • Velocidad: Lectura: 3.500 MB/s, Escribir: 3.300 MB/s
  • IOPS: Lectura: 600.000, Escribir: 550.000
Lexar NM620 M.2 1000 GB PCI Express 3.0 3D TLC NAND NVMe, Unidad de estado sólido 1000 GB, M.2, 3300 MB/s
LexarNM620 M.2 1000 GB PCI Express 3.0 3D TLC NAND NVMe, Unidad de estado sólido
1000 GB, M.2, 3300 MB/s
  • Capacidad: 1 TB
  • Velocidad: Lectura: 3.500 MB/s, Escribir: 3.000 MB/s
  • IOPS: Lectura: 300.000, Escribir: 256.000
SAMSUNG 990 PRO Heatsink 4 TB, Unidad de estado sólido
SAMSUNG990 PRO Heatsink 4 TB, Unidad de estado sólido
  • Capacidad: 4 TB
  • Velocidad: Lectura: 7.450 MB/s, Escribir: 6.900 MB/s
  • IOPS: Lectura: 1.400.000, Escribir: 1.550.000
ADATA LEGEND 960 MAX 2 TB, Unidad de estado sólido gris oscuro/Dorado
ADATALEGEND 960 MAX 2 TB, Unidad de estado sólido
gris oscuro/Dorado
  • Capacidad: 2 TB
  • Velocidad: Lectura: 7.400 MB/s, Escribir: 6.800 MB/s
  • IOPS: Lectura: 750.000, Escribir: 630.000
SAMSUNG 990 PRO Heatsink 1 TB, Unidad de estado sólido
SAMSUNG990 PRO Heatsink 1 TB, Unidad de estado sólido
  • Capacidad: 1 TB
  • Velocidad: Lectura: 7.450 MB/s, Escribir: 6.900 MB/s
  • IOPS: Lectura: 1.200.000, Escribir: 1.550.000
Crucial CT2000P3PSSD8, Unidad de estado sólido
CrucialCT2000P3PSSD8, Unidad de estado sólido
  • Capacidad: 2 TB
  • Velocidad: Lectura: 5.000 MB/s, Escribir: 4.200 MB/s
  • Diseño: Tarjeta de expansión
SAMSUNG 980 PRO M.2 500 GB PCI Express 4.0 V-NAND MLC NVMe, Unidad de estado sólido 500 GB, M.2, 6900 MB/s
SAMSUNG980 PRO M.2 500 GB PCI Express 4.0 V-NAND MLC NVMe, Unidad de estado sólido
500 GB, M.2, 6900 MB/s
  • Capacidad: 500 GB
  • Velocidad: Lectura6.900 MB/s, Escribir5.000 MB/s
  • IOPS: Lectura800.000, Escribir1.000.000
SAMSUNG MZ-V9E2T0BW, Unidad de estado sólido
SAMSUNGMZ-V9E2T0BW, Unidad de estado sólido
  • Capacidad: 2 TB
  • Velocidad: Lectura: 5.000 MB/s, Escribir: 4.200 MB/s
  • IOPS: Lectura: 700.000, Escribir: 800.000
WD Black SN850X NVMe SSD 4 TB, Unidad de estado sólido negro
WDBlack SN850X NVMe SSD 4 TB, Unidad de estado sólido
negro
  • Capacidad: 4 TB
  • Velocidad: Lectura: 7.300 MB/s, Escribir: 6.600 MB/s
  • IOPS: Lectura: 1.200.000, Escribir: 1.100.000
SAMSUNG 990 PRO Heatsink 2 TB, Unidad de estado sólido
SAMSUNG990 PRO Heatsink 2 TB, Unidad de estado sólido
  • Capacidad: 2 TB
  • Velocidad: Lectura: 7.450 MB/s, Escribir: 6.900 MB/s
  • IOPS: Lectura: 1.400.000, Escribir: 1.550.000
SAMSUNG MZ-V9E1T0BW, Unidad de estado sólido
SAMSUNGMZ-V9E1T0BW, Unidad de estado sólido
  • Capacidad: 1 TB
  • Velocidad: Lectura: 5.000 MB/s, Escribir: 4.200 MB/s
  • IOPS: Lectura: 680.000, Escribir: 800.000
Kioxia LSD10Z002TG8, Unidad de estado sólido
KioxiaLSD10Z002TG8, Unidad de estado sólido
  • Capacidad: 2 TB
  • Velocidad: Lectura: 5.000 MB/s, Escribir: 3.900 MB/s
  • IOPS: Lectura: 680.000, Escribir: 950.000
Transcend MTS830S 4 TB, Unidad de estado sólido
TranscendMTS830S 4 TB, Unidad de estado sólido
  • Capacidad: 4 TB
  • Velocidad: Lectura: 560 MB/s, Escribir: 520 MB/s
  • IOPS: Lectura: 90.000, Escribir: 85.000
WD Black SN770 M.2 2000 GB PCI Express 4.0 NVMe, Unidad de estado sólido negro, 2000 GB, M.2, 5150 MB/s
WDBlack SN770 M.2 2000 GB PCI Express 4.0 NVMe, Unidad de estado sólido
negro, 2000 GB, M.2, 5150 MB/s
  • Capacidad: 2 TB
  • Velocidad: Lectura: 5.150 MB/s, Escribir: 4.850 MB/s
  • IOPS: Lectura: 650.000, Escribir: 800.000
WD Black SN770M 2 TB, Unidad de estado sólido
WDBlack SN770M 2 TB, Unidad de estado sólido
  • Capacidad: 2 TB
  • Velocidad: Lectura: 5.150 MB/s, Escribir: 4.850 MB/s
  • IOPS: Lectura: 650.000, Escribir: 800.000
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